Tracciatore Interno a pixel: Serial Powering & System Test - Presentazione alla Sezione delle attività di Upgrade del tracciatore di CMS per ...

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Tracciatore Interno a pixel: Serial Powering & System Test - Presentazione alla Sezione delle attività di Upgrade del tracciatore di CMS per ...
Tracciatore Interno a pixel:
Serial Powering & System Test
Presentazione alla Sezione delle attività di Upgrade
        del tracciatore di CMS per HL-LHC
 https://agenda.infn.it/conferenceDisplay.py?confId=16931
                     18 Oct 2018
Tracciatore Interno a pixel: Serial Powering & System Test - Presentazione alla Sezione delle attività di Upgrade del tracciatore di CMS per ...
Serial Powering
 • Il tracciatore interno a Pixel richiede ~50kW di potenza
   ‣ basso rumore, alto rate, maggior granularità (cella 2500µm2), grande superficie (~5m2)
   ‣ l’elettronica rad-hard @65nm lavora a 1-1.2V
   ‣ L’alimentazione diretta richiederebbe troppo materiale passivo in cavi
   ‣ Per la radiazione e lo spazio limitato non è possibile utilizzare altri metodi di conversione di
    prossimità (POL Point-of-Load)

 • CMS si è orientato verso uno schema di alimentazione seriale mai utilizzato su larga
   scala per un esperimento di alte energie ma allo studio da vari anni (per esempio

                     ~1.2 V                                           alimentazione diretta
        Power
        Supply
                                                                      (come nel tracciatore
                                                                      attuale) 50kW/1.2V ~ 40kA
                                                                                                        ✗
                     ~10 V
        Power
        Supply
                                      Conversione
                                       a ~1.2 V
                                                                      conversione locale 50kW/
                                                                      10V ~ 5kA                         ✗
                     ~1.2 V・n

                                                                                                        ✓
                                            #1           #2              #n         alimentazione
        Power
        Supply                                                                      seriale
                                                                                    40kA/(n~8)
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Il cuore del serial powering
  • Lo ShuntLDO, composto da un regolatore LDO (Low Drop Out) e da un circuito
    di shunt, mantiene costante il consumo di corrente nell’elemento della catena
    indipendentemente dalla corrente nel carico (il chip di FE)

                                                    regolatore
                                                                           shunt

                                                            ramo di potenza ~ 1000x ramo di controllo

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La caratteristica resistiva dello ShuntLDO
  • Lo ShuntLDO equivale a una resistenza con un piccolo generatore in serie; più
    ShuntLDO possono essere combinati in parallelo senza problema alcuno

         VIN                                             Max

                                                                        V IN         Reff

                                          Reff
                              IIN
                                                                              VOUT

                                                         Voffset
                                         Voffset                    Zona di regolazione

                                                                   I_in [A]

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Scopo dei test di sistema
  • Verificare la robustezza e l’affidabilità del sistema durante le condizioni standard
    di lavoro
    ‣ instabilità, contaminazione di rumore, accensione, distribuzione e filtraggio dell’alta tensione per
      la polarizzazione dei sensori

  • Verificare la robustezza e l’affidabilità del sistema nel caso di rotture
    ‣ riduzione del danno in caso di rotture del singolo chip di FE e/o di rotture del singolo regolatore
                                  Introduction
  • Definizione dell’alimentazione al back-end, dei cavi e dello schema di
    alimentazione della (alta) tensione di polarizzazione dei sensori.

                       Cavo
                      (~50m)
    Power
                                                                                              Oscilloscopio
    Supply

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Ambiti di funzionamento dello ShuntLDO
  • Le possibili condizioni operative di un elemento della serie sono già state
    studiate a Firenze (nell’ambito della tesi di laurea di Andrea Fiaschi) e al CERN e
    non sono state rilevate criticità particolari
  • Lo studio dei ‘failure mode’ sta procedendo con simulazioni e richiede catene
    finali e componenti sacrificabili

                                                                 Picchi di corrente           Richiesta di corrente in
                                                                (filtrati dalle capacità di
                                                                                                     eccesso
                                                                   disaccoppiamento)
                                     Accensione

                                              Variazione veloce                   Variazione lenta
                                 corrente

Corrente in ingresso
  Corrente nel carico                                                                                          tempo

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La distribuzione della tensione di polarizzazione
ion and System Aspects
                                          • In uno schema seriale
                                           ciascun modulo (e quindi
                            readout                                                        ~ +14 V
                            electronics    ciascun sensore) lavora
                               gnd         rispetto ad un riferimento
                A                                                                          ~ +12.5 V

                      bump−bond            locale che, in tensione, è
                                           diverso dai moduli adiacenti                    ~ +11.0V
                  + −
                  − +
                                           e dipende dalla posizione
                   + −      sensor
                    +−
                                           dell’elemento nella catena

                                                                                    -
                  track                                                               HV
                                                                                    +
  sketch (not to-HV
                  scale) of the cross section of a hybrid pixel de-
           quale
e of the •many     schema
                thousands       per la distribuzione
                           of connections                   della
                                           between sensor and elec- tensione   di
 th a particle track releasing ionization in the sensor volume
          polarizzazione?
         • quale
e dies with   many concetto       per la
                    input and output       struttura
                                         pads.          meccanica
                                               The bump-bonding        e per il              0V

  have proven to work at the contact density required for
           fissaggio dei moduli stessi (per garantire
use either electroplated solder bumps or indium bumps de-
           l’isolamento
 ration. The   bump depositionelettrico)?
                                    process is done at the wafer
  bumps are deposited at once on all the dies (or sensors)
 r. Single die bump deposition can be done using gold studs.
    18.10.2018
  useful       G.Sguazzoniwork,
         for prototype     - CMSespecially
                                 Tracker Upgrade: IT SP&ST
                                            for exotic   substrates.
                                                                  !7
Piani futuri su ST e SP a Firenze
  • Messa a punto di sistemi basati su celle di Peltier per il controllo in temperatura
    dei chip e dei sensori (prerequisito fondamentale per una valutazione
    quantitativa dell’impatto dello schema di alimentazione sulle figure di rumore)
  • studio dello schema di distribuzione della tensione di polarizzazione (con sensori
    pixel planari e 3D) grazie alla scheda CAEN A1515 (16x 1kV floating channels)
  • Test di sistema su più ampia scala anche con moduli, cavi e sorgenti prototipali
    (anche nell’ambito dei progetti regionali)
  • Collaborazione con Pisa (che si occupa della meccanica del barrel dell’IT) per lo
    studio del comportamento della catena seriale di moduli sulla struttura
    meccanica prototipo; fondamentale per verificare l’isolamento elettrico e
    l’interferenza della stessa in termini di contaminazione elettromagnetica

18.10.2018 G.Sguazzoni - CMS Tracker Upgrade: IT SP&ST   !8
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